DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
; U, q! p( {9 k* x1 ]! g% {謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
/ d. b1 i* x, I# V, t}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
8 {  {$ _6 J6 NPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
# B+ @+ N$ N5 fM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
# L: o/ E% F+ Y0 ?* KPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%