body端輸入，gain的算法？

cwt1128

想請問一下，如果輸入訊號是由body端灌進去的，他的Gain的算法是怎麼求的？
例如：如果正常從gate灌的話，gain就是gm*(ron//rop)

chenjun77

body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
vth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))
而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)
gm'=d(Id)/d(vsb)
因此gain=gm'*(ron//rop)

g923964

找出gmb.
4 m" u2 W+ b( `$ k$ ?  ^gmb=id/vbs, gm=id/vgs
% m/ ]3 p$ H+ ~, }: C但不太懂為什麼要這麼做?

yuchung

g大是正確的
去Hspice的output file找gmb值
3 B8 k, o7 [5 ?2 v但是這樣的schematic基本上是亂搞
" C/ J/ I7 Z! _2 f沒有人會從body灌信號
4 l5 f$ n, ~; Y. B(gain很小  又有substrate noise   還要擔心會不會latchup  沒人會這樣做吧 )

tshiu

IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP
可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper
2 J% T3 w* m# h4 _; I, I3 a  X" j應該可以找相關公式推導

corsair

關鍵字應該是要找bulk driven
* w. [0 t. P2 U# H2 U通常是使用在low power的design

joel4746

從bulk灌電壓，主要是想在low VDD時，又想ICMR大，偷input pair的Vth。
假設VDD=1v，ICMR又想rail to rail，假設N、PMOS的Vth又降不下來，
+ h/ w$ X4 Q- lfoundry又沒提供low Vth的device，用bulk driven是一種偷Vth的方法;
但也是有缺點，印象中好像是gain變小，從gm變為gmb去推導，也會有接面漏電流出現...
' Y) C. ?) \4 N/ }! e: N# u3 u至於Vth能掉多少，大約是你偷Vbs的1/10。
( j- k# x6 P" ~3 Z: g+ l) P8 }請各位指教了~