|
仿真 ram 的时候遇到的,
$ G9 `# h$ e' I) T, {6 q先把ram的mos管的w,l都shrink到原来的0.85倍,加上激励,仿真的时候读出的数据是正确的(跟设置的状态是一样的)* B7 `& h5 r! A0 w4 {" \
此时的hsimspeed设置 整体为8,ram部分为3,hsimvdd=1.8 数字部分的电压也是1.8v* \( G3 G) u k- g
. F$ s' T* x( ?4 y" v
然后又把ram的周边控制数字电路也shrink,这时候仿真的时候,在原来没有毛刺的地方出现了几个毛刺+ ~ C! ^* K; b2 N
设置跟刚才是一样的" [- s( g2 O- S0 J* i7 D
* C- w# d9 c* k7 U2 {一开始觉得是设置的问题,于是把hsimspeed的的值设为6,ram部分仍然为3
S; ~ J: W& ^9 F仿真完的数据仍在错误的位置有毛刺,但是毛刺的位置变了。。& f4 W) `( }- A/ u
3 N; g4 f6 P) k( l& m8 w: Y- d
我觉得这样反复的修改参数挺浪费时间的,每次把speed降低,都会多花很长时间,要24h,甚至更长,有没有什么好的办法debug?6 k, T- y6 A8 o/ `2 M& q$ Q( q
% ?( ?# F) a0 n% u; a+ j4 v T; n
5 C, d$ p: p5 V这有可能是什么引起的呢?
+ U2 n1 N: m( @$ p) G谢谢各位大大,欢迎指导。 |
|