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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.! ?4 o, I/ G; c
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。" H$ W! m" a& j

( b/ m- a+ }; w% w& Z0 [& tVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處$ o( C& Q$ u# D& ^6 p
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
% w& h6 K. \/ @( j! v3 |* H$ P# P" c使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題2 M9 k3 K* H, R; u# k2 r8 ?
. _4 d( F7 S: ~" a% ^6 j( T3 F7 q' t
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
3 A- T' Q. `( |- Z但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
, |' _( h9 s5 ?" r, r* i1 V* B1.DRC 檢查軟體運算時間++) a( u' d! a3 M) C9 o: S
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
# r8 U/ C& l9 z" }3.P&R 時間 +++
4 L4 y$ b4 Y4 W8 L. d: z, I0 M4.最重要的原因 製程良率 ----
- ^0 p% V! `9 B) T5 M" }) M4 C- R% _3 m. r: s3 N
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0; A* D, w. W1 z* w, @5 f5 Y5 y' {1 {: T
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
+ u! M& y4 e" E8 F: x" M6 T* M- N所以 90度角 還是證明他的價值存在
5 ?$ B# F1 |; }5 H# Y5 E* K' i- T& s# U2 n& z6 T% ]3 R- r1 H
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況4 w/ D2 U; A8 Z  @. f* K; C, b
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
; k$ P8 R3 b% u/ q( [
! D9 W" v/ c3 O# b& [% F得到以下結論
$ m, M" B$ Y8 V- t6 u
% u9 ~4 k  ^5 K1 ^. v/ I1 d5 r目前的製程技術已經到哪邊了???
" b) r& T- U8 s: E% u! [你所需要的製程技術是否需要???3 v9 J7 R/ N: ]7 ]
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
# s& O/ h8 J2 x' ?1 b9 @/ e) V  p* D- z1 V
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
" O9 C8 c2 A. H6 n; v! H' g, f! i' P* |" ]
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強! H' |! {% P3 }# B
9 F) b( D  k/ A  \; t: F
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
0 i. X3 f  r+ d- p
& ~& V( n, \# L重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
3 |: k8 Z0 R# y- C# B4 D" Y
: c$ S+ y% d; ]2 H如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
) J2 f+ H  L2 k! ]6 j5 A' t又學到好多事物1 n1 L) N8 U( f' u2 Q  m
第一次知道layout可以90度以外
2 q7 `- ~- M7 c1 y+ ], }' a6 {謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦7 d0 D- r! b6 z+ E2 k7 `
我同學做SAR ADC因為速度慢  W! B; G* a' j" U7 m
繞線其實有接到就好了
' B0 ?( O" Z2 y7 X3 O直角繞線或是metal太細幾乎影響不大. r- e+ R1 A9 q7 g. t
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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