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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。# r) m3 L/ @* G  ]; n5 c0 y1 f7 m" c: _
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:# X3 T' g" D8 Z2 I8 L' V

" L5 S0 Q# c* G9 ?3 m! _假設M1:M2=2:4! Q, ^/ e0 y3 H+ q0 i  `
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
  m5 j' U4 u0 `9 |, H& f; g$ F
8 g& d/ d! V: I8 l. ~
% n! j% N2 K$ q但是我個人不會這樣子lay9 `4 \4 Y( a( g! m. a
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):" x1 D* m# S8 E& B# u  q

" K# X$ B' k: [* C9 L不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE8 y( S& U+ ~' y/ ?% A* ~, e5 s
可以以中心對稱。
3 P- l5 C' V* c9 ^# l0 u4 I+ T' K2 g- e. J! j7 x8 s
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
5 y$ G" H6 o) x) y$ {這樣的,但是M1的接線就有問題了。
- m) r$ n6 l- ?& T8 g, E' ?2 `7 s: X( n8 }; H! a, @' _
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
0 G) E3 |5 J/ f9 D/ qMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:: S9 i, p) ]: k% `5 g
. W: ?# Z% j. Z5 w, r# o, n: R
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
3 T6 R- {+ U! z, F; g& }' M, V不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
, y$ i; D# t6 y$ Z+ U針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。+ z* F7 Z8 n& y& W
. j$ A! @  M3 A( v5 c2 p) F: v

$ J2 H" Y8 s( U& ^3 D5 F以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
) f$ ~2 a8 S/ Y" M; N+ M他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12, t  H3 l0 N( |' A2 T3 u- L
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
; k5 h: Q' q1 J; r* m  \4 U9 m9 e我的原案是
3 [9 a7 E& @* LM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY" X9 x' T" G2 a9 p& H, L
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。+ F$ |+ I  C, K% {1 y) C
我考慮是
& ^0 k0 o, Y; {: l$ qM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4/ [. B5 b$ y3 c, h8 f: V" w
有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~
! e" |1 A7 l" ^  T1 R8 @* D要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
; h7 _) x: d3 i*********************************************************************************
$ C( ~" U7 o; I0 `+ B各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
) h1 s! J7 [0 K% E5 m  z- d那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:( F' t; m0 F+ o4 Y7 e4 `! e- S% z
3 P$ @5 S! v' c9 X
假設M1:M2=2:41 P/ b; R) y, h
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
0 ~& E# U0 O" L5 c0 f
8 @, g9 U2 \0 u! q! {. [  [
; j# P! k) A  P. _但是我個人不會這樣子lay
$ h4 O- n6 _8 T因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):1 `9 }2 `5 u! Z( b9 H

( }  N# E" V7 m8 M; H+ U0 Y不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
+ A% {$ T% T, ~, {" T& B& F; E0 ^1 S可以以中心對稱。
$ ?' p) G) y) h& T$ @' Z1 |8 v; _6 `
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)+ J1 U3 ]# k; \! d/ o, a
這樣的,但是M1的接線就有問題了。& ~# I2 H' M0 S
; ~' u7 Y* D, K% ?
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的% o8 l5 E2 j  Z7 U
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
; L. A4 N! [) |' @: u( d% D) f7 x: s' N8 k$ D
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。# j, F" m$ t& h5 f! z
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。* V% \9 M" ]4 d; I% Q$ A! r' d8 B
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
' b# U0 P6 V* [7 G! T" a( X1 U
  G! N6 Y: {+ }  t  @. O3 C( d
! U5 \: \% ~4 f+ J( P以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
8 E8 M# M% O& p1 x, J' K  M他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:129 [0 p$ K* j& S- G! w
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?7 z4 }  P; e1 l  k; b( e  T0 o1 @' ?
我的原案是5 g: v: P* x2 S) [3 Z0 \
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
3 E3 R) U: z+ b+ ^, O因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
" K& T$ W5 F; `& S我考慮是/ q  ?7 Q1 M, A/ u/ ]
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4. O, ^$ Q: }; Z2 ~8 e$ a% R
有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。8 ~/ R8 r: i* Z7 [8 \. w
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
5 u1 Z8 L  h" @$ o哪個誤差量最少,就使用哪一種。4 \( S, P  g. i0 A+ L3 w9 b) |

/ b) ^6 m9 _+ h- W5 q9 d9 x[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
. o* L+ Z: i8 N/ Y4 f" {5 ~& [一般我會用C,不考慮面積E也行6 ?; d  W5 d% b! m  k& D" A
製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)& c4 X4 M& d& T
match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。5 f2 L- {" F$ [+ [' |% ~
但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
; v, M0 L- M2 g& p
! V* V! J- L- [: k1 K可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
2 n4 c% Q' Q7 w/ M) r$ Y. I- T
* Q+ t9 D' n! A# C1 Z4 N$ y# D7 T"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點( C1 \& a! s. q( J. w' t
2 A" r1 n; V% h+ y+ L' s
E的match效果 從製程方面去看 算是比較好
& u. z( {/ `  B+ M
! Y, [2 A  w+ S) |# M不過 要用到2層M
" R, f4 j5 Y  x( e
" W# D# U0 T  R/ J( g是不建議 用POLY去做連線2 W8 l  e7 v6 C7 }( `, {9 `
5 Q% g' j8 U$ q/ C' V/ y/ l
就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                  5 P. F# G) T; B* k. ~
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份% k8 S1 Q1 E, J2 t1 Q
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
8 _, v5 h9 ~9 Z" u: e且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
3 z: n. r& S5 c: C: q,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在6 A0 W& [) G. c4 W$ _7 q! e+ {
做速度較快的電路時,差異更明顯," a. i( D- v2 l
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
+ p8 K' P0 s3 x電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
/ _$ k+ Q2 p8 |; g: q" O1 F, e) D所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
$ Q+ l- ~6 ]$ A; f而變慢,
9 P& v- t7 b  p) ^9 L5 i所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
' _7 g- [% B% l$ ematch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該( M  m7 t/ l  ~+ l, V9 ~
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
, f6 t3 E7 ]- M1 G3 K' I問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
9 {$ @& r+ a& t) |8 ]7 u在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
- U/ a/ j7 Z: N
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。; y- I6 g3 z% {+ v

7 ?# \6 B* s1 [7 b# m. M# X
0 A1 ~3 Q! m- i0 V8 O; `! ?3 ^+ m4 o& A2 |8 N) R
QQ?房器0 I+ Y* w( U6 P) e

' }4 e7 L) u# j) T9 V- a" F李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
# f# `$ U/ J' r1 Z可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
. h( E1 t- X7 N  N3 F. w; A6 R8 Z還是是我自己or 系統的問題; ^; \  y- {% D2 r) w
謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
5 n% _( N+ _9 w6 w. N- A只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM& R, _8 H7 c% a- i) L9 o6 u9 |) w
我再重貼一遍7 Z6 y. F% L' G7 a! f
*********************************************************************************
, A. _4 D2 T/ {2 s+ Q! j各 ...
, J) r# u- K; a
謝謝大大的圖文解說,受益良多
7 n0 @3 A  Q! d" z) ]
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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