C方式在萃取RC時,共用S D的部份% k8 S1 Q1 E, J2 t1 Q
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
8 _, v5 h9 ~9 Z" u: e且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
3 z: n. r& S5 c: C: q,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在6 A0 W& [) G. c4 W$ _7 q! e+ {
做速度較快的電路時,差異更明顯," a. i( D- v2 l
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
+ p8 K' P0 s3 x電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
/ _$ k+ Q2 p8 |; g: q" O1 F, e) D所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
$ Q+ l- ~6 ]$ A; f而變慢,
9 P& v- t7 b p) ^9 L5 i所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
' _7 g- [% B% l$ ematch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該( M m7 t/ l ~+ l, V9 ~
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
, f6 t3 E7 ]- M1 G3 K' I問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |