關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
8 {& c( f" ?( c2 c& Q( x
9 r/ q5 {6 l. o0 u( L參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
( W! H6 ?7 m' k$ d- R1: A B A B
   B A B A
: a5 l6 a" Q9 ?# s# x這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
3 s- m% @0 E8 b( y) @   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
1 _( r0 e2 U6 K8 N; N   B B A A
; |! k/ G+ a' A, X' F對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
, e5 w, y+ B0 `
6 H" |& ~+ A) y* s7 s[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
5 O* U! E. k1 D% q6 B
) p; K! F. \; u& {沒人知道嗎?

; V8 H& F. Z9 d& K$ y* ^, V4 p沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
4 ^  i5 b5 c6 i大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
$ p; [7 \% d- Z
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

1 n6 |$ E! k; ?可是為什麼電流方向不一致@@?

: {2 O3 n: `" C% f0 Y然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
# B) U& F8 n1 m4 ?0 H. B- q  h
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

  @) @+ Z- n4 s2 @主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
$ B/ D" D) M, n1 l( k/ c% C
9 R3 L6 `0 {+ `- V# j% H5 E光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
, `$ g5 B, ^0 G7 a都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
# ?* ^& C) X) {! K9 h5 \: \8 C" N電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

5 K1 N8 U. _/ U5 ~8 u& }

第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

+ _6 H3 m9 T& @


                  
: w% r* [+ X2 Q' n3 y                 
0 S7 m# w7 B* C" Y0 G請問STI效應具體指？
* H0 b0 Z! a& `+ n/ @
9 ~1 B  y; d& G4 G6 y0 m0 D                                                               
" Q  j, x5 E. C/ Z                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
5 a, B4 L+ ^' V5 W7 P! C  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
9 W8 M9 {- j+ U) Y
8 c- @9 E6 L% w; C$ @5 o如果不共用
9 I; C& Q9 k5 s# i% r　A      B          A      B
! T9 {1 z9 `8 S) z( f" o( ^        x        X         x
　B      A          B      A   
% C3 N3 }8 H1 w; l2 ^　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
6 g0 ~0 o1 W: n7 n" Gx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
! [9 \0 E  d' l- k1 }+ c兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

" h6 c: _& ~' g4 ]$ U% B" \
方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
. H( ~& a% }# ?5 T2 P方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
3 [3 C* H* M. K1 a) H, I+ o; D我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

  f6 g: f0 Y& [: C1 K* T7 A) q8 n1 |& N- V
, O  J: ]' j2 _( v2 W    何解? RD不一定正確吧?