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[問題求助] 想請問seal-ring的一些疑問~

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1#
發表於 2009-7-18 21:51:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~
- y% j. l- m- T& H. C* Q5 y# T4 B' M& o/ I- T! J
我想請問一下,seal-ring為什要接到vss呢?有人說是防止latch-up,有的是說防止靜電破壞內部電路,$ O0 A! L) |- [( B! g  f
4 |, o4 h% d1 x% d& L8 k
但真正的功能是如何呢?請前輩能解答一下嗎?謝謝~
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2#
發表於 2009-7-20 11:35:20 | 只看該作者
我也有興趣知道
# `  i& S) u+ R4 S3 P, }/ Q# n
2 e' X$ Q; H  T9 M' ~. s; c2 g% J% o/ O~每一步都有存在的意義~
3#
發表於 2009-7-20 23:10:00 | 只看該作者
你應該先想想seal-ring的功能是什麼,它是防止切割道(Scribe line)切割時,晶圓裂開裂進你的Core裡面., q* H0 K0 O4 L3 f
因此,若假設seal-ring失效了,擋不住了,真的從切割道裂開,一直裂到Core裡面,且碰到你的元件(Device),你會希望Short碰到你元件的是VDD或VSS,一般,如果短路到VSS危險性會小一點,除錯也較容易./ U+ N, l! @6 f, t: m8 h/ u
這是我的淺見,請指教~~~
4#
發表於 2009-7-23 16:55:40 | 只看該作者

seal ring的本质作用在切割的时候,保护芯片。

seal ring的本质作用在切割的时候,保护芯片。你说的其他作用,是附带产生的。
5#
發表於 2009-7-24 09:13:39 | 只看該作者
一般來講,最常使用得是P-SUB製程,seal-ring的底來說視為 P+ DIFFUSION ,而P+ DIFFUSION與P-SUB都同為P型,P-SUB一般來說都是接到地(vss),所以seal-ring也是需接到vss,不然會有問題,小弟淺見,有錯歡迎指教。
6#
發表於 2009-7-24 09:42:07 | 只看該作者
原則上是接到real power
, j% ~) K- V. J; R" v& j其他的就跟樓上說的差不多了!!
7#
發表於 2009-7-27 22:52:26 | 只看該作者
原帖由 kazamigai 於 2009-7-24 09:13 AM 發表
) E& ^2 H) Z3 U. k一般來講,最常使用得是P-SUB製程,seal-ring的底來說視為 P+ DIFFUSION ,而P+ DIFFUSION與P-SUB都同為P型,P-SUB一般來說都是接到地(vss),所以seal-ring也是需接到vss,不然會有問題,小弟淺見,有錯歡迎指教。
' n2 b% Q# z3 ]' w$ i" p  L
8 m! P4 l0 S$ G: ?8 O& u
5 D* Y+ L- L5 W$ T( Q
请问下如果sealring 没有接到vss, 比如说 浮接, 会有什么问题呢?
8#
發表於 2009-7-29 09:57:55 | 只看該作者
一般來說所有的物體都會帶有靜電(只是多少而已),seal-ring除了要保護die在切割時的完整外,也是將切割時所帶入的靜電就近接地,避免衝擊die本體.這只是我自己的看法,有錯歡迎指教.謝謝!!
9#
發表於 2009-7-29 19:54:14 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-29 09:57 AM 發表 : j) |! E5 q  ^' ?
一般來說所有的物體都會帶有靜電(只是多少而已),seal-ring除了要保護die在切割時的完整外,也是將切割時所帶入的靜電就近接地,避免衝擊die本體.這只是我自己的看法,有錯歡迎指教.謝謝!!

2 Y  ^, |& g. O2 L% y9 k, V. W3 S- Q- @3 N* y8 m" s
如果sealring 接到了vss, 肯定会通过metal和chip内的vss 连接吧,  这样切割时产生的静电不是就带到chip内部了吗? 切割的时候chip内所有的signal 应该都是浮接状态吧, 是不是会影响到chip啊?
10#
發表於 2009-7-30 10:28:23 | 只看該作者
回答 lethalkiss:: {9 ^, p+ n: ?/ l: J
sealring 與die 本體是有一段距離(可參閱各家Fab'design rule),中間有連接的只有psub(電阻值趨近於無限大),因切割所產生的靜電當然會跑最短/阻抗最小的路徑接地,再由切割時鄰近的sealring共同分攤所產生的電流.這樣對die本體的衝擊會降到最小.這應該也就是要有sealring存在的目的吧!
11#
發表於 2009-7-30 11:08:09 | 只看該作者
其實 rule 上並沒有說需要接電位 而且接了好像意義不大(主要是防止崩裂)  o* R1 b" U  u

; v3 V/ z# q) z1 M7 j倒是可以分享一下 以前會當ESD Ring 來用 這麼多層METAL 又不需多佔空間
12#
發表於 2009-7-31 21:25:57 | 只看該作者
原帖由 lethalkiss1 於 2009-7-27 10:52 PM 發表
( }4 p0 A3 @# F4 g* F
' U$ ?; j5 M1 J/ g+ c3 v6 Z1 L' L, k; i  U% x& X

, E2 L: m( C' z请问下如果sealring 没有接到vss, 比如说 浮接, 会有什么问题呢?
6 m) V5 {- D( t- e5 t
+ b* v" ]$ p1 u9 U" e
浮接亦沒有問題,sealring主要作用在於其特殊的氧化/鈍化層結構,可以有效保護die免受應力破壞及可動離子污染。
: r# ^& z. O" Q* k+ S在多電源情況下出於特殊考慮,可以floating,: [8 l( b: ]' d) Y9 B
當然樓上解釋亦非常正確,PSUB情況下floating可行,但是接power就要完蛋了。, K6 S- [0 y9 c* ~
有些設計�sealring 兼做ground 的gardring,是否會在切割,或高濕等環境下產生不良影響,取決於Layout的細節設計,SMT后焊接溫度,應用環境,封裝結構有關,個人認爲,批量生産時,仔細設計應當是比較明智的做法。
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