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我是剛設計rf電路新手,在設計好電路後layout時( G# D; |$ ^$ H1 `! @9 u- H& ]2 p
9 P# v* O6 a, ]0 ^發覺rf的mos最外圈有兩層,最內圈是body而最外圈是deep n-well' Z' G9 \0 z3 L1 M
' D( O) ~% i) w我那時不知道那是deep n-well,而在layout時nmos那圈我都接地
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而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了,所以我不需要動它. v( V! b$ [& l) A
4 L7 Y. t! [/ s" V; ]$ ~1 q8 @在我最近下線完後發覺好像不太對,我把nmos flatten掉才知道) h, n% g) y6 }; l' r
5 _& v7 n1 i: ~# n; g5 R" l+ g它叫deep n-well,nmos的body是p型,那我還把deep n-well接地
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那不是有可能順偏,我電路中body都跟source接在一起,而我的電7 {* i: h+ e; E d! U1 m; S) l7 `- R
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路中source又不一定接地,那這樣子我的電路很有可能不work嗎?
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) m5 B! |% ]0 u8 ^$ h; adeep n-well是一個電晶體配一個,還是整個wafer配一個,若是整個wafer
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: `% B6 L1 y/ J7 E, _4 F一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接?9 v3 f& j: s' b3 p
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那deep n-well我該怎樣接才對?1.與body接在一起2.不要接(浮接)8 _3 h, l$ N! ~ z. N7 w5 x
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3.接到最高電位。那種方式會比較好,而一般會用那種方法?% P; h& x7 x+ m% \9 R& k" ]1 `
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而我所使用的是.18製程。 |
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