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我是剛設計rf電路新手,在設計好電路後layout時) e. Y+ {1 y9 t$ ]0 k
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發覺rf的mos最外圈有兩層,最內圈是body而最外圈是deep n-well4 E5 q, R1 D6 z
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我那時不知道那是deep n-well,而在layout時nmos那圈我都接地6 b1 B% \$ U& a5 ]3 Q) w. _
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而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了,所以我不需要動它
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/ q/ V: U$ A0 w/ [8 J在我最近下線完後發覺好像不太對,我把nmos flatten掉才知道
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它叫deep n-well,nmos的body是p型,那我還把deep n-well接地: n: V' Y3 K8 c7 J* m2 s
|$ l6 D% d8 k- ^那不是有可能順偏,我電路中body都跟source接在一起,而我的電
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路中source又不一定接地,那這樣子我的電路很有可能不work嗎?5 l3 {, Y0 w7 _% b
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deep n-well是一個電晶體配一個,還是整個wafer配一個,若是整個wafer! v; C+ M5 f# \ {+ R
/ d- ~% j7 y1 e, n: W一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接?# D9 t2 ~9 [4 f' L# E. \; u* N" k2 X
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那deep n-well我該怎樣接才對?1.與body接在一起2.不要接(浮接)
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3.接到最高電位。那種方式會比較好,而一般會用那種方法?4 b' D2 Z! {: l) `
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而我所使用的是.18製程。 |
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