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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
# T- ^1 W7 \, [4 o3 U我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多), f: q0 ^3 K0 {$ N( y! `# y: M
1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.% B( ~7 S, T7 V$ s$ [% `
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }1 ]; X- s! t0 S* ~, Q
2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.8 f6 J, b, C  Q5 M/ r5 h
                   EMPTY_AREA AND NWi }! S- v: M! k' l( c  \
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD " s0 |( K6 ~5 ^& F
                     layer.
3 N1 \- \" M7 i. u2 e2 A. k                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }1 E0 _5 J) U7 [  m5 I/ i$ I
+ G) y) t+ U& j* Q
麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer
2 g  Z9 y9 M  f4 m9 a 整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check3 ^( G( H( P/ H
在 DRC command file 先把它 mark 掉 2 ?* i, O, C: [# l& v4 i/ n
在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些
& }4 B. H/ P: w$ V& k& g, k5 a% a6 G////#DEFINE FULL_CHIP/ b0 z/ o* [+ V& i# I( g" l$ V8 d
仔細研究一下 design rule
! v( u4 v2 L* E  a/ I: b. Y* h應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?
2 I" j4 P+ |' B+ r0 _; f/ W# m5 _還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
! H9 a' B5 @* G' M# u, ~7 y  P+ N" j1 k& `6 q
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width 1 }5 Q  W: K6 [" {
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise4 g3 @( Y- v/ \: r, n
也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?9 }* Q8 @' e9 v0 [
& @: d! q2 h4 j" m
[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉' A9 A% h$ _3 E! O; e
就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
5 l# h$ m+ e( l- `在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
- G9 v& h5 p9 p+ o" E# s9 |0 K如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;7 S0 ]. L" x! @' S1 |6 D. ?
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?1 A3 W5 b! m4 k1 E4 o
是的  有人說  rule file 也有人說  command file
; j3 H8 A1 z6 a" b% E2 O9 a1 n4 Z6 Y+ m
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width :
% I, R/ t/ V6 j$ m變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise& d4 t6 G1 k" Y( u5 U3 x. x2 c
  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
& _/ D* F" ^, Y. s* w& Y* B, m沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮 4 B7 |* Z4 L( [, n. b
例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ5 M0 ~7 U! [) ?
通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論
  ?& b+ N' `  Z+ {' f; J後 做決定 有時電路有其考量  參考參考$ A. c6 I2 _9 C9 t7 d5 T" p
% B; g, A0 Y0 J  h; B
:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
) y. N. L- }9 X4 d) Y那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表 ; o* s' F" W; e3 H; l$ }; z
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
7 O) R8 f# b% `那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?
8 G" I$ E8 [: m$ Z% V: Y* e原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
8 l; d7 \, R+ @6 }3 `6 D這個名稱還滿好笑的……
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