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第一個問題,在輸出端的串聯電晶體,是可以增加輸出阻抗
$ d/ A( P1 B1 C! V而我覺得更重要的應該是可以使up down的switch不直接" [8 w9 D+ q5 S( ?3 i
與輸出端相接,可避免switch的一些切換時的side effect
1 v8 ^& z) x6 o6 R比方說clock feedthrough,charge injection對輸出端/ Z3 `* z9 K5 x1 C2 |, ~7 _
造成的影響,而產生jitter5 w1 P3 a! f5 b0 l1 G3 w- R7 x
6 e' C* D% O" `( P4 i第二個問題,我覺得這應跟N P MOS的mobility有關,為使up
+ N- |0 B/ L( w和down的電流match所以要有這種ratio比兩倍應是一般的條件
, w7 S" N# ?" ?3 y但真正的比例應依照使用製程的兩種元件的mobility來設定
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以上是小弟的看法,如有不足或錯的地方,希望高手能給予補充 |
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