請問關於tsmc018製程裡面的pwell

tshiu

請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL
5 G9 U) q3 j  s# {, Z) h: j2 J3 s/ \( sPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)

tshiu

目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序
可以增加NMOS的參雜濃度

小緯仔

當你sub的電位不一樣時
/ r, a% [6 w$ g! h9 E                                                   
* P$ I$ {7 L/ a" H0 Y& e4 g2 \也可以使用！

singt1496

通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…

motofatfat

看你ㄉ 製程 決定
/ }9 \" w6 S7 @通常 T ㄉ  PWELL 光罩
- S, f& S; k  v0 t都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來
, x$ d+ M) g! z0 p所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
和　光罩製程資料
　
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程