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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › nmos ldo
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[問題求助] nmos ldo

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1#
發表於 2010-1-6 15:42:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

. o, m: p% l4 B  R请问 s3 s4是如何实现的？具体的工作过程是什么样的 比如说C1是如何完成充电，C2是如何连在gate上的
- [7 Z4 C9 ^+ K- n( ~谢谢！

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2#
 樓主| 發表於 2010-1-8 09:44:26 | 只看該作者
顶起来 为什么没有人回答我的问题呢
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3#
發表於 2010-1-11 17:18:13 | 只看該作者
這是switch電路吧....因為你什麼都沒說...在說從電路上只能把mos當開關...一般人不容易看的出是做什麼的...
( T/ o( s% g! g6 W1 d$ V那個c1 c2是clock booster(沒拼錯字的話)...那要把你看的paper跟圖的出處在看清處一點...你那個電路至少有2個電路組成..不包括時脈增幅器....
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4#
發表於 2010-1-12 09:32:39 | 只看該作者
楼主要做多少倍的charge pump啊?
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5#
發表於 2010-3-24 19:07:13 | 只看該作者
s3 s4 是接成diode,  利用順向通反向不通的原理等效成switch
* n( w5 L7 W" ]! T0 q! H6 x9 C請參考dickson charge pump~# q5 U& i& V7 X( V
目前右圖的接法等效於左圖, 簡單推一下就知道怎麼動了!!
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dacaili
6#
發表於 2010-8-2 12:50:02 | 只看該作者
采用switch结构的LDO的好处在哪里、
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7#
發表於 2010-8-6 16:48:35 | 只看該作者
猜測是為了增加output 電壓的level
1 R( t; A" }' O: _3 fVout會被卡在 Vgate-Vth  K" S( ]5 z$ ]) f' ]. e! w
而Vgate 的極限通常會是被內部Vdd限住(5V, 3.3V...etc)
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