最近所做的系統裡有一部分需要用到
2 v1 J8 F1 D! a B: W: ^ 9 G9 v: W, O8 Y9 i1 ]; @7 Z# t) f3 c
POWER DECETOR的電路
% N3 j, N( n x( j3 T& Q4 \6 b
3 n; B! P9 l9 S9 Q$ L但由於之前都是作baseband的電路居多! i0 c2 ^2 E+ @$ ^% ?- _ Y2 y- @
# @. Z0 r0 ~, c! b4 s對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬
$ H T, s) E, p: G
% `) }" _3 x/ R( ~' D, A. G0 x
" H( X3 q& j9 Q2 E0 n J, D這是PAPER上的POWER DECETOR電路3 n+ n. O# U9 u' W, j
/ C0 {' s- e( f# S0 |* r但是我在模擬時候碰到了一個問題8 A, o7 Y. ~1 @8 j
' l* @% O* |9 e. h
究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼?% L1 X! k7 R& g L3 P
) x+ X7 v# l: c4 B/ x是用作阻抗匹配的嗎?8 G& e: {) P$ _- K2 {6 ^4 Q
8 C+ W4 y/ J/ P/ d/ y% K3 n
另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分5 r! M2 Z6 Y/ X j8 z: J
5 y- p) k3 g5 R裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?2 c: Y: C, ?% b/ v$ P: S1 U" S
+ G: `3 R9 s4 d2 ]1 H4 BPS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector
! c5 U" t0 A5 `* w. x& A0 C
. V* {; N. e, @; l0 n謝謝各位了 |
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狗仔卡
發表於 2010-1-21 10:30:25
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