最近所做的系統裡有一部分需要用到
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POWER DECETOR的電路
V$ j/ Y2 U! Y5 v7 W, k' X1 C, j* x
! \& W9 A; V1 }* Y/ N! P, I: x但由於之前都是作baseband的電路居多# {) \) i) n+ K! W, U8 Q; o- c' x) m
$ `$ c; I: P: ]7 }' c
對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬" X# x) o; C+ Z+ V: i9 l' Z
. j+ y! n4 D" R" X1 K* v2 a+ I# ?! `! U) ]0 Z8 d k2 q ?/ J* [# J
' y( Y; \9 i( K8 \這是PAPER上的POWER DECETOR電路6 {; } ~3 D, [
0 C; {; }/ r4 k1 v$ a0 ]$ [8 y# X, \4 ]! D但是我在模擬時候碰到了一個問題
3 B4 d1 J1 r3 u; l4 i: U# Z
/ x0 u% e9 m; G7 ?9 {究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼?
) Y8 V' ]* L8 u0 a& t" i. ]( v6 L / e" J' M. n+ \ w7 s! q
是用作阻抗匹配的嗎?* T8 M; i- r' k' k8 X
+ v8 m2 [; h' o4 ~& `另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分
( v0 h+ Q: s) l2 [
" D3 ^: Q- I1 }) q5 y8 k, h- x+ O裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?
' H9 r1 |3 q/ x" `
. c3 @' N# L- s4 |% [ |" zPS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector7 U# @* d/ M' B
& Q; G# Y0 K3 S4 h謝謝各位了 |