請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
1,通道未型成時
2,三極管區
! o9 i0 o8 t# ?1 g* k6 }- n# G3,飽和區
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
2 Z1 `- ]2 U' w! n4 W6 Y這樣是操作在哪一狀態呢???

chungming

example for NMOS :
6 j$ g' f. w0 h2 _( kVg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
6 s; D1 c+ m1 X$ C4 FVg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
! {9 Q# N0 H- s1 P4 Z  j
You can see Razavi Chap2 pp. 39
& s! W+ d% ~' Y+ s3 iGood Luck ~ !

semico_ljj

工作在反型层 状态

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

kkk000777

3,飽和區
8 U; V4 C/ X5 S% y0 h+ y8 j# R通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
) k# C  G" H6 G所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.