請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
- e. k3 l, E* ?8 c% ?8 q7 t. S; x4 x上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
7 A( {$ T/ D( |: u1,通道未型成時
2,三極管區
3,飽和區
: ?* z+ J. n/ \( s% g) ^但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
- C" e5 U# s- C這樣是操作在哪一狀態呢???