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因為 floating gate 電子越來越少 一點點的干擾就可引起讀取失敗, M) N- s9 e0 {7 [! o# ?. c
floating gate 電容 ~ 1fF - z2 K g6 j' L" c) I3 X0 w7 ^% g
一個準位的電壓 = 3v $ V- {7 v! W1 }2 S( F; ^) O" H
Q=CV = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
/ ~/ c% @5 N; _! M; k- m一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
' d1 Z) z0 q3 ]& L* M: Jfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4 個電子
l* f* {% r% B% T. L1 B如果偏移了 10% , sense 可能就 failed , . m* D. d" _2 _. W3 h) H% J
讀取限制在 100k 次 , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到 1.9x10^4x0.1/10^3) _" F- j( A) s
1.9 個電子以下 , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us
6 C- T' X6 H9 x( d8 p& Vi= dQ/dt ~ 1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6) ~ 3 x 10 ^-14 A = 0.03 pA
5 g: I t2 Y/ O+ rnand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重& [# l1 s! H$ C: b5 A& F1 c# A
只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補( @6 P; a0 C, M0 _. e0 K4 h
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰 科大文化出版 一書 |
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