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[問題求助] LDO Quiescent current

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1#
發表於 2010-5-4 09:46:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
For bipolar transistors, the quiescent current increases proportionally with the output current, because the series pass element is a current-driven device. In addition, in the dropout region the quiescent current can increase due to the additional parasitic current path between the emitter and the base of the bipolar transistor, which is caused by a lower base voltage than that of the output voltage. For MOS transistors, the quiescent current has a near constant value with respect to the load current since the device is a voltage-driven device. The only things that contribute to the quiescent current for MOS transistors are the biasing currents of band–gap, sampling resistor, and error amplifier. In applications where power consumption is critical, or where small bias current is needed in comparison with the output current, an LDO voltage regulator using MOS transistors is essential.

這是我在看LDO文章一段看不太懂..
為什麼在Drop-out region時,quiescent current 會變大??
有大大可以解釋一下原理給我 知道嗎?
越詳細越好~謝謝
!!
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2#
發表於 2010-5-4 23:00:02 | 只看該作者
帖子已经回复了,在IC设计那个区里
3#
發表於 2010-5-4 23:00:12 | 只看該作者
帖子已经回复了,在IC设计那个区里
4#
 樓主| 發表於 2010-5-5 11:54:34 | 只看該作者
請問有公式可以推導嗎?
by a lower base voltage than that of the output voltage.
這句我還是不太了解
5#
發表於 2010-5-5 20:24:20 | 只看該作者
by a lower base voltage than that of the output voltage意思是说,LDO工作在dropout region时,PNP功率三极管工作在饱和区,PNP管的基极电压Vb将低于集电极Vc(这点不用解释了吧,看三极管原理的书应该知道),也就是PNP管的基极电压Vb低于输出端电压Vo。道理很简单,PNP管工作在线性区(三极管正常工作的状态,跟MOS的线性区概念不同)时,Ic=B*Ib,B为电流放大倍数,工作在饱和区时,B值要下降,要保持Vo和Ic不变(Ic=Io),就需要增大Ib,即需要增大Vbe的绝对值(Ve=Vi),因此Vb值下降。有点乱,不知道您能看懂不?

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6#
 樓主| 發表於 2010-5-6 17:41:35 | 只看該作者
Ib的電流方向不是應該往左嗎?還是我搞錯了??
所以因為VE很接近VC故為飽和區,
但Ve要高於Vb一個固定值 而所需的負載"Ic"一樣 又因飽和區時B變小 所以相對的ic=Bib 所以IB就要變大
IB要變大 故VEB要大 ,VE即VI不變的話 VB就要變小是這樣嗎? 還是有點亂QQ!!
7#
發表於 2010-5-6 22:52:05 | 只看該作者
不好意思,5楼我发的图,Ib的方向画错了。你叙述的基本正确吧,似乎没什么问题

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參與人數 1感謝 +10 收起 理由
daniel0613 + 10 謝謝您仔細的回覆!!

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8#
發表於 2010-5-6 23:07:19 | 只看該作者
本帖最後由 sea11038 於 2010-5-6 11:15 PM 編輯

LDO工作在Drop-out region,实际是Vi下降导致的,此时三极管进入饱和区甚至深饱和区(Vce绝对值很小甚至接近0),为保证Ic不变,Vbe绝对值(Veb约等于0.7)虽有所变化但很微弱,可视为基本保持不变,Vi=Ve下降,Vb也下降,而Vo=Vc是要保持不变的,从而导致a lower base voltage than that of the output voltage。
9#
 樓主| 發表於 2010-5-7 09:35:14 | 只看該作者
感謝大大不吝賜教!!
讓我又更了解了一點~~~
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