请教仿过运放的老手关于调两级运放的问题

cukow

最近在仿一个运放,在满足GBW和相位裕度的情况下,增益一直上不去,调了好久都只是在50~60dB之间徘徊,Allen书上讲的提高宽长比,减小尾电流的方法都尝试过,效果不明显,不知道各位有没有什么建议.

用的是IBM .13um的库,电源电压1.5V,沟道长度1um,运放的结构是经典的两级运放,p管差分输入,单端输出,带米勒补偿和调零电阻,负载电容1pF,指标是Gain>70dB,PM>70度,GBW=100MHz,其它指标不做限定
9 g2 b6 O7 h9 f2 }' W9 z
$ d3 W/ n9 V8 }" V' d

kj.guo

架构一定 增益带宽积为constant
5 }7 x% z+ U* _3 v3 f8 O- _1 W4 j如果GBW有margin 可以尝试tradeoff一下

miklystone

hi:
   看看你个级的输出阻抗,是不是因为二极管负载Rout太低了,老调不出来的话是不是拓扑本身不行,你换个cascode结构试试呢.
M.

semico_ljj

可以告诉我你的第一级增益到了多少？，这样就可以判断是第一级没有设计好还是第二级，或者两者都没有做好

cukow

回3楼,架构方面不是问题,就这种架构有人能调出500MHz的GBW兼有80dB的gain,而1.5V的电源用cascode结构摆幅方面会有很大问题吧.回4楼,第一级增益也不高,不到30dB
0 H+ y# [# M6 Y/ M9 N% J# P( V
% O" X# ?: k% l3 ]! X) i2 P  u) j不过ms解决这个问题了,原来用的是1.5V的管子,后来有高人说换用3.3V的管子试试,于是我尝试了一把,果然增益马上就有70多dB了.

9 W9 N( W, G9 O为了搞清原因,查了下工艺库,1.5V的管子tox=3.12 nm,而3.3V的则有59 nm,相应的后者的阈值电压也比前者高一些,个人觉得可能Ron会大不少,更具体的原因还没想出来,还请哪位达人指点一下