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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS( [4 U$ i8 i/ e/ T; j8 d
工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
9 h1 p+ f5 m) g9 A- R一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，
' r8 F- w4 M$ Q2 S) o激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝
$ g6 E, N. d$ P# O% B3 K. t6 C' X# }" [" V
簡單說一下我的心得，
1 A0 B: s0 K4 ^( g: _1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流+ j: s* Z2 Y: i" ?# Y7 K
   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE) h' q9 g9 ], K
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron
. Q6 l( j* ?5 ^3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法( P! U' A; z5 D8 X& ^
7 a  j# N& y4 r& Z% l
那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
7 Q- }! y1 R" C$ E
* G; P- O: {8 d4 D那種比較好... 我也不清楚哩!
  D: ^/ X, A. ?! h4 l7 o/ }/ pshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM
: Y8 |+ H3 ~! S# T$ _" f

( |- s* Q9 r. c  J9 f& k. f' e3 B4 W
& w1 {6 s. T7 z2 J8 E    我也想知道那一個比較好
% _8 W$ j# C% Y$ Z   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~
! @8 U' S9 W# |3 O相同製程不家的MOS的參數變化不一~4 K. b' B7 }5 F' O# K9 n( Y
即代表I-V CURRENT
( F: X0 e* Y/ J- A; E所以我覺得好像不是看畫法/ D! V  @, W) ^, i& x" q
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
; ]$ Y" M# O) L* s0 b+ j; S' O. M, x- T5 e2 l5 K+ ?$ p
呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu
4 l# T3 X) U& U9 s  @1 x; E
2 E$ W6 ~9 F: }1 q  K這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!) `2 y% I  q) i, B4 ~
可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj + x* }& i3 g" C% x' k. s- p' _

/ ]0 I$ E1 f8 {) g5 b
, M( Q& y/ _- k/ N& t# g    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?  o' q5 N: V1 D
感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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