|
我的layout工作,主要就是在畫POWERMOS
' k) g" x! n+ ^& N1 N' {工作這幾年間嘗試很多做法,但是一直無法找到
) Z( p. z9 F) H% c$ u! }一個最佳的layout,也可能因為我迷失了,希望可以透過大家的經驗,
% K8 v4 M+ E) s) N9 [激盪出一些新的想法,請大家賜教,謝謝8 Z4 p( B0 U. c9 r- g, a) E
* J0 W6 u& H( {
簡單說一下我的心得,1 a# m D* t6 v: x
1.若用MIN的RULE來畫MOS,相同的面積可以得到最大的width,最佳的Ron,最大的電流
) Q' G" B4 K9 x0 B6 |! X4 M 但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞,因為DCG為 MIN RULE: V9 y4 { ? L" w7 U/ C( v- P
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積,犧牲Ron w/ x2 N3 H( ~) i1 ?2 U- j, h# G9 [. F
3.若要兩者兼顧,面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大,2.butting contact and source contact 不足 |
|