ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
4 i5 |9 H+ L+ K/ S1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
. s4 |5 G' y5 H7 \) i/ {- {2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
4 b- r* F) [: \1 g4 U- \5 _' r) `# I1. 請問製程為何?
# y. }) C: H$ ~) G) V2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
1 S+ e1 q; O! k2 b7 v要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
. C& e! z) P( `; K2 S
7 f+ {; M# B# d0 _* a+ a2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

0 P- ~. v' x. u! g, a$ H. J4 M: p3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
1 k  N2 @8 v: f均勻是指什麼
2 w+ e" a! ]# |5 n8 E/ L, T3 t方便貼圖上來嗎