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感謝大家!!!& W! J+ j- R9 n0 Q2 h y6 c
基本上樓上各位前輩說的各種特性我都知道. H. {+ I: v& H1 ] H b
只是要如何把它切確的轉化成電路 I& z% E" e3 \3 F- O
我的意思是
! M7 K$ s; q5 H假設今天我op共有7個mos疊接(3個p 4個nmos)# K. s, D+ o* q3 d2 L
那bias電路應該也有6個不同的電壓準位出來對吧?7 \* @0 x) u. B& S9 m
(對應到同level的mos的gate端 扣掉input的mos), r% Y7 U& C9 h/ y
那bias電路中應該有三個pmmos8 ]3 U/ E" M1 o { J! j
一定都是pmos最上面那個的gate拉到下面一個pmos的drain嗎! I9 Q c' x1 D7 t3 n* w! A7 \6 g
還是會拉到最下面pmos的drain(等於橫跨過中間那個)?~
1 o+ q3 p8 n( ?. A: a3 a6 m& o像是此種架構性的問題~
% U8 g( V; X; m, F3 t/ l非常感謝各位前輩喔! |
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