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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › TSMC 0.18um 電阻精準度問題
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[問題求助] TSMC 0.18um 電阻精準度問題

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1#
發表於 2011-1-8 16:09:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我最近剛接觸TSMC 0.18um製程，想在電路裡面製作一個較精確的電阻6 F% C2 i7 m; J6 D0 i
這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用，大小是數個kohm9 G' p" P9 M" U% v4 k* G" Q% \
5 P, H% g3 j) D8 s/ `
目前查過製程文件資料，發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小% |5 S" I" c' w( G( J0 I7 {
p+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)2 e4 P: ^9 n. c
p+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)' c+ V7 \0 h! G
n+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x): _# l( |6 z  ]! b

) Q; }; \" u! n0 H但是查了一下先前論壇上的文章，似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??
0 }" `! H  v& G# [; P可以請各位前輩說明一下嗎？5 w& P4 f8 y* S. Z7 b- y2 t

0 m  g+ ^( R2 M/ v" E7 \1 p另，如果想要使用這些電阻做為resistive load，是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?
1 w6 ~& J+ q5 s& \; Z! X7 S感謝回答。
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shangyi
2#
發表於 2011-1-11 11:18:29 | 只看該作者
絕對阻值用diff6 t0 @4 b; L( H3 P1 f2 x* z
相對阻值用poly' m! u7 \+ @0 Q
面積考量用 p+diff or poly, C5 V2 N9 e) E# S7 i# b; ^8 a
溫度考量用poly2 j5 Z, b" Q0 [
poly 電壓考量用 p+4 Y' }6 U  e; t. c7 b0 B
diff 電壓考量用 n+

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frank822 + 2 good information
semico_ljj + 2 + 2 不錯!

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3#
發表於 2011-1-11 15:48:37 | 只看該作者
回復 2# shangyi 5 _/ X) ]4 f9 e! _
/ K9 R4 A3 E2 ]4 n2 j

) Y9 ~% v5 m, Z5 z    可以請大大開示一下嗎??$ b0 K: {' t  z; ?) M! z; `' [
這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道 5 s4 z! i$ ^1 h- g6 j- u/ I% M- x1 |  y
關於製程我一俏不通。
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4#
發表於 2011-1-12 21:40:58 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉
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5#
發表於 2011-1-12 21:41:04 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践，才会有实际的感觉
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cyan215
6#
發表於 2011-11-2 11:17:56 | 只看該作者
shangyi大大所述很具有參考價值~
. s  r# r. ]1 V) p' K/ m
: j3 r1 t7 f- ?7 b8 x' c8 c' ^/ X. R謝謝分享~
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wacsula
7#
發表於 2012-2-18 11:57:27 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享- H( A2 U) T5 J" v
獲益良多
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aircraft
8#
發表於 2012-3-13 13:18:04 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享! z# j0 g9 L/ c) {2 B
6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多
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9#
發表於 2012-4-11 23:29:01 | 只看該作者
自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~
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ziv0819
10#
發表於 2012-4-19 11:12:17 | 只看該作者
我只能提供0 }2 d9 p" C6 v* a! C6 _
poly製程漂移大約是20%/ b5 j7 T/ Y0 J: C7 C) L4 |
所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔！
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11#
發表於 2013-10-13 13:50:52 | 只看該作者
絕對阻值用diff0 o, d0 y! g6 x, u- q
相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k
! m6 n6 ?* |7 {" v2 T面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b7 k: _7 \) y( c! [
溫度考量用poly( D# D" X6 K8 f6 Z, Y- q6 Y0 Y! G
poly 電壓考量用 p+
6 e5 N& X- D6 E7 k0 ]/ U2 V1 u$ ldiff 電壓考量用 n+
; r% K3 I8 q) k+ G
. A9 X5 J0 I6 B2 G0 Q2 {; g請問這些考量是如何得知的?
$ i7 d9 L4 y/ S  [5 J+ X很好奇
, f/ |9 o/ [; b% j. b我家都是POLY
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kanchiam
12#
發表於 2013-12-5 16:48:33 | 只看該作者
poly比較不會有實際運用的問題..6 h9 H- u$ U1 w$ M' E4 ~2 X
diff和od阻值易受body的影響
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13#
發表於 2021-7-31 18:17:37 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
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14#
發表於 2021-8-19 00:15:02 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
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