如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi

(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL
; P  |- k* C( q1 z
& ]: W$ [' L2 C! z! d' j( u6 a(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
. [+ P/ B2 n7 I5 ~5 NLV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，

如果沒錯的話，以小弟的猜測，
/ @7 v' b+ |5 X
你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

/ P2 S+ \1 t; a6 n% BLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
/ c! w& r0 f# O, E
/ R. e3 r8 l  vLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
' ]" _0 d) A: X: y) F% F* M& Q7 T5 @另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
才有辦法了解原因為何
0 l# Z0 d2 i* E2 S: ^# d* _% Q* O
$ M2 h/ i( k/ G% U若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。