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[問題求助] 關於mos source/drain contact 的數量

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1#
發表於 2011-11-4 10:32:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?
4 W% c' d; P7 e; I0 _# d$ L, B3 ~有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.
& [5 x( a, V$ ^. d- T& ~# a% Z8 ~$ F例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
' w; ?" y" B4 L) E- I: p也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.
1 o" t% h7 K% V: G3 }4 N* l5 Z有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ? 6 ?& H" Z: n: C" D
另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
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2#
發表於 2011-11-4 14:21:08 | 只看該作者
原則上是 能有多少 就多少
7 ^; u; Z% W2 O1 |! G有時候有些考慮 用幾層 metal  也是考慮因素) _2 ]+ ]; T0 s4 r& }, a
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
3#
發表於 2011-11-18 03:11:44 | 只看該作者
1,contect 孔多可以减小接触电阻,每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小
: E  }1 V- d5 g3 J" R0 a. a1 s2,严格的MOS匹配,连线都要一致,不匹配的连线有可能引起1%的失配
6 U5 v1 ~4 Q" H& n" C. X3,模拟版图导线跨栅是大忌,寄生效应是我们不可预测的。
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