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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
# j: j9 }! t; M" u5 Z* L* \4 Y+ e/ P3 ?1 z& Q
各位先進大家好
1 Y1 y! q8 G% A7 g# M2 ~6 r# g, _- w/ _3 y9 `( t" l' J
小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
7 J) e; V+ F# D: j8 E
! \% x! T2 F) Y; {其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
- p1 {% `' R! V& |" o' X! n% I# Q. M* ^- u& a6 R6 g, |
01.4 H$ M! F9 g. }0 y2 v
. Z( L% t& ~1 o. M9 C# ^* u
架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?" s; M0 n. @1 q5 e  s' \

/ z/ ]( c% e9 P8 @' a- o1 y/ N: }% A, l' N4 G
02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示
2 o9 M* j1 E7 @$ [; \
, U1 x, h* v8 N5 r0 M. ^
# q, R! U  z' J' c5 f我照著教學中的圖選用
# R$ t- D  B( M0 s/ D
5 A1 l$ j+ X6 x0 V0 t! S' `TSMC_CM018RF_RES_RF) d; t' B+ Q$ U% `0 T/ \
Type=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)
' }7 h+ S# \6 p! H+ P0 i* ^8 o  Xw=2 um
+ s: o8 {7 R; O! d1 @* n7 Pl=10 um
0 d* T8 F7 b; G- SR=5626.13 Ohm9 a+ u; s: \* }" m* Z6 w& D" Z2 o( p
7 g: K" W& E) k  }2 Z) j5 [8 P7 i
但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?& V, \  g. }0 O: c7 d
, A% a2 Y7 e' L& L) G. s, K7 z8 @
03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。' T0 D8 Q" W6 T1 o) d

; V2 l, R5 k$ ~; X5 m以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!
  m8 i& o- n& Y* }( a& Y
' g, h1 Z( _$ ~$ J8 x8 D0 ]: c教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!
" k3 S9 h: _% ?1 [, n9 O: p我的V8.1版,有註明8 W9 r* n. X+ i- ]# l4 q# m7 Q; @( s; \
Type=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF) ?) c+ W8 H# t
最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,
0 s% u5 \9 \1 ~# s1 H改為W=1,L=4.77,. q/ z8 t' m4 {; ]& g. Y% w
會有最接近的值R=5628.28ohm。; a7 Q0 t# V- r0 o+ _1 W2 a
也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題
9 d( J  g9 `3 |4 u0 V% H) u1 k9 d4 g6 m, B- m
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
& a! e4 t: |0 `3 R/ b% C
+ b- i' n2 h* b" C" `: w* v我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說
8 x) ^+ R& E( O1 r# A! X; `
- m; @% b# H( N我的公式是這樣打的:
/ L4 x, G1 j8 y& r4 r+ yL=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:; K( u: v" }. Z9 u0 s0 _' j
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+94 h& G# z; b! c
你應該還會用到Q值的計算:
3 n) I: R# R% ~! ZQ1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))) w9 I9 M' }% Y

0 `  [5 k! v' A其中,因為會用到Z參數,9 |5 J. y. J% g) `' J
記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,
  ^6 _% ^; [& w+ m8 p# O+ B! Q把z-parematers打勾。( ?% }2 ]/ ]3 N; h/ z: q% ?
以上,就可以了。
5 q( J) Z3 K1 a! j  q, M, A5 d* @0 U$ ]請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
  z" i! H0 ^+ z2 j" y  O  m, V$ f( l0 A
不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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