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[問題求助] corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??

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1#
發表於 2012-6-9 18:56:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???: A0 v. D6 ~4 j8 k
                                                                                3 O) V4 g; v0 B' e- I( H
有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
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2#
發表於 2012-6-13 02:22:51 | 只看該作者
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)6 w4 H; U6 G2 o3 h

! S% }+ Q" _6 f+ CSS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P
7 ]0 B" ~" c8 M
. t0 n! q7 g! ]不知道這樣說明對不對 請前輩指教
3#
發表於 2012-6-26 10:25:27 | 只看該作者
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
4#
發表於 2012-8-9 23:52:23 | 只看該作者
tt ss ff sf  fs  , 前n後p
. n1 y8 f$ l: X- j, Y1 C- F指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
5#
發表於 2012-9-20 16:58:04 | 只看該作者
工艺角,   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
6#
發表於 2012-9-27 07:41:28 | 只看該作者
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異,所以希望在各種情況都模擬嗎?
7#
發表於 2012-9-27 09:42:23 | 只看該作者
工艺上的误差容限范围。
8#
發表於 2012-10-9 12:47:07 | 只看該作者
学习了呵呵~~~~~~~    !!
9#
發表於 2012-10-24 01:54:46 | 只看該作者
學到先n後p5 R0 {: w- m1 H, K( D
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
10#
發表於 2012-10-25 07:09:26 | 只看該作者
nmos pmos
8 Q. _, [4 f& O# {2 k2 g
  c* m5 c$ Z0 W5 yslow, typical, fast
11#
發表於 2012-12-5 03:17:00 | 只看該作者
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
1 B3 o: w  G- C1 o+ x; r4 `' A5 F: }! A" L/ }
The art of analog layout, " i# U& G! C4 ~- r5 C
Semiconductor Devices: Physics and Technology,* ]+ V& l4 U9 o7 I- v; h4 ]7 P
至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
12#
發表於 2013-4-8 22:41:31 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
13#
發表於 2013-7-17 20:21:44 | 只看該作者
typical-typical (TT)( Z5 F' y  X2 s0 @; z/ c
fast-fast (FF)/ O! ]+ R; f, u
slow-slow (SS)1 X. j7 {+ @6 n4 g1 E' G
fast-slow (FS)
7 E2 J" [! `6 C, uslow-fast (SF)
14#
發表於 2022-8-15 12:44:40 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
- t5 y! k/ L+ w
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