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[問題求助] corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??

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1#
發表於 2012-6-9 18:56:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???7 P# I7 s. F8 o
                                                                                
- c: t/ o0 ~- E  U有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
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2#
發表於 2012-6-13 02:22:51 | 只看該作者
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)5 l: P, i! G% f9 @: v+ Y
* a0 H& F# s. q0 R2 v4 a1 G+ d
SS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P6 A" ]; z4 k$ U9 P! \" L
) v  P. @2 x* q9 i5 p6 Q/ |
不知道這樣說明對不對 請前輩指教
3#
發表於 2012-6-26 10:25:27 | 只看該作者
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
4#
發表於 2012-8-9 23:52:23 | 只看該作者
tt ss ff sf  fs  , 前n後p 0 ?  M& ~- O& ]4 K' g/ K
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
5#
發表於 2012-9-20 16:58:04 | 只看該作者
工艺角,   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
6#
發表於 2012-9-27 07:41:28 | 只看該作者
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異,所以希望在各種情況都模擬嗎?
7#
發表於 2012-9-27 09:42:23 | 只看該作者
工艺上的误差容限范围。
8#
發表於 2012-10-9 12:47:07 | 只看該作者
学习了呵呵~~~~~~~    !!
9#
發表於 2012-10-24 01:54:46 | 只看該作者
學到先n後p+ q* E5 Z1 a$ ?" D+ i
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
10#
發表於 2012-10-25 07:09:26 | 只看該作者
nmos pmos
) `% ?* S1 _3 D# f' j: z
1 `, Q. s) r' w! l, oslow, typical, fast
11#
發表於 2012-12-5 03:17:00 | 只看該作者
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.. I6 j1 E. y9 p
0 S! v' l# F9 o4 m: W( ^/ _
The art of analog layout, 5 x3 k5 \3 J2 _: F, [
Semiconductor Devices: Physics and Technology,
4 M+ j5 M  f2 d. k  I: O$ a$ Y/ q至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
12#
發表於 2013-4-8 22:41:31 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
13#
發表於 2013-7-17 20:21:44 | 只看該作者
typical-typical (TT)
' F( w: Z* ?, @+ J' p# ~. ]fast-fast (FF)# y  @6 D1 I; P( `9 h* [, x" C
slow-slow (SS)
; p! b6 }8 y+ _# z% P- |1 h/ dfast-slow (FS)
* s+ \- O4 W' n' Q/ dslow-fast (SF)
14#
發表於 2022-8-15 12:44:40 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大6 L1 `) r$ @( l
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