transmission gate 電阻問題

jghn

用transmission gate 模擬電阻約40k
  {( Z# p' d9 [% ?& R2 K(附上HSPICE)

: |6 Y# r! j2 }0 H- X2 Z1 OMrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u  
# }% w7 J$ W! X# t+ XMrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u
. g: _1 h9 }9 @7 Z& o, i/ `
( u9 A# ]" L2 k) v' r* h( _. c vi  vi gnd dc 3.7v
5 ?0 z" y3 h7 c8 K8 P) Tvdd vdd gnd dc 5v
.op
.option post
* F/ J* d4 e9 I.dc vi 0 5 0.01
.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)')
+req=par('1/(lx8(Mrp)+lx8(Mrn))')
, |6 E7 i, k7 y3 `( h.end
' P6 p+ J- G) C7 R, \! Q
" y9 v1 d3 T6 n************************
問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
0 [$ R; O7 h. C* N3 m' M- v: o- x* z但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區?