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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' J6 Q- R: e! L9 b+ Y
3 S/ W3 j' Y, ]" m6 z+ cOD2作用:# O6 b* I2 Z/ L# w" e. r$ o
1. 增加阻值
$ F" s+ F. c. @' A5 \3 Y* j2. 防止電流過大而導致元件燒毀
, W' S5 K2 {: {( f6 v3. 通常用於高壓製程上
! F, D& v6 Y* _1 _
' _8 @  s/ [, j4 E) m( ^! ~5 S3 eSAB作用:* ], M' @' w5 b8 Z. e
1. 可以用來計算電阻值) l* [! y1 O9 E, T) R: J
2. 降低阻值
# ~% x( g3 K0 @3. 防止LDD的尖端放電
' V7 P" \/ s" L8 K$ t. T9 P% h) w- w. n$ a* e' X" i8 k! h/ D

: b" h+ ^; Q  q6 O: V% V! Y以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, B$ o) Z% v. \4 ~% z1 m4 {2 c
3 I. F& @9 P% g  }' ]) G8 p6 i個人的認知與看法!有錯請指點一下!
+ \4 n' o! f# o$ U
, l4 |; d7 P. T& j有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!- }! W3 N3 u- Z* h: P

% |3 p$ p* U. ?" G) w; L+ }' ?2 C蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
- [. Y; ^$ q' `* r5 z+ D% b$ p能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: H3 {, T1 T! ~& k
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ y3 ?- l2 G& X! R% H# L' z
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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