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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟, p$ f0 u& {0 d8 V

: i# t; ?1 m" w. ]OD2作用:# b: v+ S: y. p) I) {! s
1. 增加阻值
/ j4 L( p$ ]$ i2. 防止電流過大而導致元件燒毀: {9 k2 |! n2 N$ D" c* `
3. 通常用於高壓製程上5 `* N7 b+ _7 B( q' t  s
0 e6 ?- A! O+ k- N- k
SAB作用:
  a; [+ s0 l+ u" t! W1. 可以用來計算電阻值
! f9 w7 q% Y2 U( [2. 降低阻值
- j7 ^6 ~8 r  J/ q2 B3. 防止LDD的尖端放電
7 e) z2 ?+ t* o- [" u
5 L2 t, G$ }! N" g
5 q4 g4 ?1 d+ e, x, l! d以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ; ]- I$ D. a* t) m2 E8 M

2 U' C+ P* u. h4 e* U  ?+ `個人的認知與看法!有錯請指點一下!  T$ g' C! s' Y( j
0 ~% P" {1 E3 M7 t' m( K
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" W2 {3 ]0 Q% i  K1 r* D

3 w8 g! P! ?6 H3 T蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
4 d% f% F! A6 I# v能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% f: p* |4 Y3 Y% G" h這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! D( l) A4 o3 r' K1 YSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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