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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟; u* V- I8 P1 c) ]9 \$ D" d
) ^$ r, t- ]. z1 [1 k
OD2作用:( S0 z5 p9 U6 X+ w; y
1. 增加阻值2 P) ^3 g3 X5 w( Z# |* v
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- L: i/ d/ u% [* L9 g) y$ }4 l5 F3 i3. 通常用於高壓製程上9 y9 n% ]. E- k. g& b/ ^8 x
; G- F, J, s  l
SAB作用:
# V( A+ r$ o- o$ I+ {3 ]5 u3 r1. 可以用來計算電阻值
3 W  \9 x0 i8 v& V8 h2. 降低阻值( Z4 T; ]$ {1 j- j. @
3. 防止LDD的尖端放電. A' p+ i+ \* m5 C8 {2 W
! O" B" k* h4 p
$ K, S  [/ f7 u; N6 @; i
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 _1 J1 Q( J- }% `7 I% _2 k: `6 U. s/ p9 ?1 f) |
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
$ Q# w( w1 L; U4 g$ |- _
: ?; ?! S( w# v8 Z$ U; @5 z有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
  s4 T0 H0 ^9 m" C+ ^2 R  \' j) j3 X1 ?. ^( R
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!2 V- \  g0 f. B) N0 j1 Z3 Z* n
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
0 a: w' Y4 s" d8 L這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
) D$ F/ f0 C3 `1 [  M' gSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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