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[問題求助] T18 DRC LUP3.1g_1.8V

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1#
發表於 2013-10-7 23:48:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 aj002547 於 2013-10-7 11:51 PM 編輯
6 c# H8 f! h& W  K* |- b$ ]6 m; B5 l7 P
各位先進好, 小弟有遇到一DRC錯誤不只如何解, 想請教各位) ]1 f+ P; L9 b! R( Z. j( h

8 c. d& Q8 m& T5 Y圖片的反向器輸出有接至PAD, 但cell都是畫好的,
) ]! a. O( z! B0 F7 ^7 l8 ~+ U$ V1 T, ~; q( P4 F8 @
難不成真的要把這塊拆開然後拉開到他所指的3um這麼長距離嗎?
, ^# `7 A% @0 w% M0 B
$ G( B1 V* O& Z1 T( D3 @# ?還請各位先進有處理過的幫忙, 謝謝/ L) r2 i! Z3 Q9 F# [( J3 t

; ~% n  x5 ~$ _
  l8 W/ S' c  s3 u
) p% \& f, B# \2 m
0 H* z  V: i! x; V: chighline處為紅色框起部分
+ I9 p8 Q: o. v$ ~$ U/ P

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推薦
發表於 2013-11-8 07:39:24 | 只看該作者
您好:8 z* o8 t/ d: ^& f

1 ?6 q( q  e, F2 C. X  }       我簡單的按照DRC RULE上的字義跟分享一下我的看法,應該是說如果你的N/PMOS有直接接到PAD的話,你的NMOS就必須要圍上DNW,而且DNW跟你的PMOS的NW必須距離3um以上。
" n2 r; u9 l7 h: Y1 D1 p; \1 J5 o
+ ?, g* P; D( p) }+ E2 q4 T        我猜這應該是為了ESD所設的RULE,因為在PAD附近較易有大電流,故拉開N/PMOS以防止LATCH UP產生。% Y9 U- L) U2 z9 G. l
: F; B6 R! \* X; T3 l' r6 P
以上希望對你有幫助。
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3#
發表於 2014-5-21 18:14:38 | 只看該作者
LUP  廠 rule9 K6 s4 X; g% e) |
4 `7 V9 m8 w! ]* M" k2 M
space  between the NMOS and the PMOS
4#
發表於 2014-5-21 19:14:49 | 只看該作者
請把PNMOS 拉開 並為一個完整的ring
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