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[問題求助] T18 DRC LUP3.1g_1.8V

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1#
發表於 2013-10-7 23:48:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 aj002547 於 2013-10-7 11:51 PM 編輯
* }# I0 d, a/ n2 F# G
: \% z7 M/ T* ]; M, ~各位先進好, 小弟有遇到一DRC錯誤不只如何解, 想請教各位+ n0 ~2 l: o$ i. }" y3 Q9 }# l! Z
" G$ [# q2 d' C6 [
圖片的反向器輸出有接至PAD, 但cell都是畫好的,
4 U! `  A: E4 A; z: W& W
2 o; G+ f7 u" l; D7 x( _難不成真的要把這塊拆開然後拉開到他所指的3um這麼長距離嗎?$ k. W0 q2 T# h2 u& w- m

; w( W; X5 g. c1 T2 x# R還請各位先進有處理過的幫忙, 謝謝
8 b0 H+ z2 w0 k$ J- }) g' B2 R2 o6 M4 [; N( {* K9 f
/ \  x* k' M  P& p5 [
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  O9 ?( {6 {3 J! h! Ihighline處為紅色框起部分9 b! ^' c5 V0 Q3 a8 E/ O

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發表於 2013-11-8 07:39:24 | 只看該作者
您好:, R) ?; v) X/ h0 |) t/ w0 _5 Z6 O
% l+ X3 D) B3 C- Z0 v+ s
       我簡單的按照DRC RULE上的字義跟分享一下我的看法,應該是說如果你的N/PMOS有直接接到PAD的話,你的NMOS就必須要圍上DNW,而且DNW跟你的PMOS的NW必須距離3um以上。
( J8 i% ~* s: t0 A8 Y: [
3 e5 A2 [$ @) t% z: }" D. w! D        我猜這應該是為了ESD所設的RULE,因為在PAD附近較易有大電流,故拉開N/PMOS以防止LATCH UP產生。- G: V7 Z9 N! @7 A# @: T9 V) O! O% M+ F- I
! u1 U( c# ~# ~
以上希望對你有幫助。
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3#
發表於 2014-5-21 18:14:38 | 只看該作者
LUP  廠 rule
& j# t0 L7 E9 W% F& P' D. g+ u% ?0 P& N3 P
space  between the NMOS and the PMOS
4#
發表於 2014-5-21 19:14:49 | 只看該作者
請把PNMOS 拉開 並為一個完整的ring
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