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有 froundy kit 就用% e& `5 |; P0 n. D: @
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
, }0 ^ ?, `4 ~9 R' t+ ?/ C# y廠建好的 製程try過比較沒問題
3 R. y- S' _; I8 a4 o5 x3 p0 ?
& G7 {( s! Q" y, Q) a a自己寫一個spice model 容值抓抓看
, H* `+ m5 \: I Z7 a7 R2 |& q5 m: [# i" o) p) F3 D
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,: x" }) F- E, n; X% e
可能任何工艺都有这个cap,
/ W( |* u Q% ^- Q- }! Y5 Y) n9 i9 L6 u, N
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
! s9 `3 T2 o( |% e由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,) a% f* a; [1 K2 E
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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