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有 froundy kit 就用
0 j) L6 d- N9 H9 l* n( h畫的 每間蓋的layer 也不一樣
% R6 T) Z' T8 e$ i廠建好的 製程try過比較沒問題
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自己寫一個spice model 容值抓抓看
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S1 H5 Q9 q0 G/ }MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
/ h5 r! S6 l0 _$ l. \) x可能任何工艺都有这个cap,
" I( S( m' d! b: `& j ~* e9 S" u- M, e9 f+ ^
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
$ S- D+ L/ f, j1 G, ~* D' k2 s由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
$ i4 k. P, l& P( W6 q' _MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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