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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們1 `% f- w* C4 S! V8 l1 y
                                                                                
4 \+ k, D1 j8 w9 T! g  R( q請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
7 w; F& `+ m  S) C) d' T4 ~# \                                                                                / V$ c* q' r% ]5 {
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3
+ Z2 \! q1 A, u# N1 t6 I                                                                                ) h# a# N* {$ B9 |; e* u3 o% N! _4 ^
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
3 Y: O" u& m& [- S* A, ?                                                                                
; |6 F! e4 u& ~  r0 z6 [+ \以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA0 \- F9 `3 r, S& E* r& S# @4 K
                                                                                
! x2 X. X6 a3 g4 S" I! S" W以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下3 {. v- D0 L" Z4 Y0 q3 {
                                                                                9 L7 n& V. m4 c1 R! J
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關  G+ ^5 d" ~& U
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
  Q' o" K7 A' F1 K' `" igm 本來就大  d; {0 X9 S# n2 n4 o# i& j
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V6 I& m0 D+ m7 @7 V3 {( R
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm 4 K" J+ ~+ E" E) S, C
前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向( T6 l0 T/ M+ ^& f% N4 V
2007年那篇算是比較早期的作法了2 M$ ^0 k. k! P. O- R0 ~; l
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大  k2 a4 T  L8 Q9 n. ]5 x) P
後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看
+ I" h. j; v5 Y/ Q8 `7 \1 [5 X. Ncapless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop
( j1 E. b1 a, x4 M傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
- F+ V4 x6 `- v' ~比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier+ k/ `7 h# n% d' H1 f: c, r: b/ J" U
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
) q% {2 z) |0 l! W7 T* I6 H# [# \! _3 \2 r& g
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想  y' @+ C' O2 L. x
這是RD的宿命
1 s' b! i, K6 `  V: {" e2 E" P" Q% i$ I9 a5 V, ^
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage ( G! T8 _! h% S6 @
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解. i  z. I7 d1 f8 b' u+ p
可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論9 j" p) [' d0 h+ d5 N" I, ~% p6 t4 o
小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
6 O. `  M. t" ~0 g% u" m( T; F
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者
! l- i# B! q  A! W& ?
Thanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you8 I- ?( H  ^- q

0 t3 U8 ?+ [/ D; u
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題 , Z0 T) A5 o4 q" r# q
極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
. q0 D, l0 R8 j+ y  C" i: P0 e4 d1 ?0 n

: W% l" p6 U0 o
1 |2 g/ N2 X; `
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝
5 a0 \& _* I9 H! S
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