MOS DUMMY大小

s055661

最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
& R5 Y! ^* S  f" R' u" m所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
% z. g. |- ^4 e  i9 h; U* g& G: Z有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
* l6 c, u) D. M0 M' r
( g3 I$ P' z% U) z8 M  H) p

huangleelung

詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
- r0 @* o% B6 e( _. c但學科觀念到是可以幫助你理解原因

joe1102

補充，Stress spacing 也是考量之一，

  K* B9 c+ D9 y, I5 N) [" Y5 k至於說要怎麼設計？

通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
: M$ z4 M' |" g' S
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可

$ f4 k( ~/ s- ~, C/ g6 `# n5 d至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，

tony9211

可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
: S2 z; V3 H; d. Q5 P* W你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧