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[問題求助] 電路模擬問題請教

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1#
發表於 2008-1-31 00:09:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
板上各位先進大家好:
1 M1 {6 L0 q) G6 p% j* {/ `. G2 k                小弟我是類比設計新手,目前偏電源電路設計的部分,最近有個疑問想在這跟各位先進請教( ^% h; p2 ?2 O* J3 v" @8 Y
                   如果文筆不好導致問題不清,或者提問方式有違版規,請各位見諒與指正
# Z. n, o) D  h/ O) }2 m2 q; A/ y                   最近聽到公司某些前輩提及,有經驗的類比工程師,往往越能將自己的模擬環境設置得像實際3 ]! M& h) X) s3 z; I! C. J& h
                   在濾波器上量測到的情況,比方說將一些雜訊來源的模型加入自己的模擬環境中,讓自己的電路能更貼近真實
% u- j- T4 E" a+ u. Z5 z+ @- \                   又或者把bond線的電感效應加入,小弟我在這想請教各位先進的是,在電路模擬時,除了電路本身的功能性
) ~' t4 c6 }0 ?/ j! Q3 M                   模擬之外,還有什麼其他效應需考慮,另外就雜訊而言spice model裡不是已經包含MOS雜訊模型了嗎??那還
" L0 P1 ~/ A6 R% c                   需要另外加其他模型來模擬嗎???如需要又需怎麼加呢??6 S/ A. M0 M1 B% W' g
                小弟第一次提問,不知這樣問有沒有什麼問題,還是先感謝各位先進啦!!感恩感恩

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2#
發表於 2008-1-31 08:18:55 | 只看該作者
MOS的雜訊模型只在模擬雜訊的時候會加進來,8 e" x$ S/ `& c
在跑暫態分析時是不考慮在內的,
  m; `% s9 ~  `, y! Z2 G1 m0 h/ M所以跑暫態分析時必須自己加進外在環境的等效電路以及雜訊源,
9 V9 A, I4 {0 r- M0 r- q5 a0 E才能更接近實際使用IC的狀況
3#
發表於 2008-1-31 08:54:39 | 只看該作者
基本上resistance , capacitance , inductance of bond wire , package , board 都需要考慮  M$ v2 M! l( B$ Q$ a. V3 d! J
這些都有等效model ckt 在書和論文上,
4#
發表於 2008-1-31 09:12:14 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在自己的 晶片內部 如果有跑很長的線  就要model 等效的 RC$ ~+ Q) r- D0 c6 i6 ]7 m5 I5 p  g
在POWER部分 根據封裝方式的不同 每個PIN打出去的金線都不一樣長   
! \6 q9 p; u" G& r但大致上有個等效的經驗法則 10mil = 1nF    (長度單位我有點不記得了)
# F1 I# ]8 j4 b( C+ X# R8 l1 j這樣子你跑電路時  你的電路就會有 Power/Ground的 Bounce  這就會比較貼近真實的情況1 A7 A9 U: E: M& f& e0 T7 O
Board的部份  我只知道  要model 看出去的 Loading 電容
2 e$ w/ b# F  Y, r; U然後 如果外部介面是 特定的 Termination 那就要把外部介面 掛在 輸出端6 B, m# L, N7 \
輸入也要根據SPEC follow VIL/VIH 的規定
7 K5 q3 _0 k3 T  ^但如果是做板子把不同的IC整合在一起互相做阻抗匹配的Model方式  這就要留待 很強的FAE來回答這個問題.
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