電容的比較

yhchang

※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】
9 h, ?: W5 a2 d  V
請問各位前輩:
; r5 r& ]2 ?: T' ^             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
" j1 r, d% ?& A             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?

yhchang

& J" P) L2 O6 z0 z' m- x4 R% C, U呵呵呵~
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
$ I- |4 j/ ]' p+ d) y. J6 a以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是

(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
. o1 w0 f8 l4 H; A7 R, T(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
9 {6 z3 e/ g  x0 L(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
( r6 j# i# l. P( {( m% x(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
% ^% m, q! w  Y) Y  f7 I# g(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.

不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
2 f; S' m* n# Q7 y4 }5 d也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
9 v+ M! X  ]$ i5 @基本上也不會不準到那裡去.

/ @3 y0 z5 H' c  X7 d) J6 b# ~4 z

yhchang

Re : 電容的比較
那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?

yhchang

您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
8 `, o  R6 a$ t* K' d& A) I電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
9 B; x) g1 }! }: o* B) D- U' B只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
9 M: a* u- B) W6 O8 i6 p9 i但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
: ?" g! u* K/ P# u& I3 H不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~

1 W6 u; Z& d+ G% q3 u9 U5 F/ _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]