用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
.....
.......
  I; T& B* v0 A6 w( A( b.end
; f2 @- g" V- y% B( P" T9 X% i2 E然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
* W% `6 k7 Z" T: ~6 N% `0 Z我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
$ V$ Z) D( n( z* ~  [
5 V- J' N% X* R, x  w哪位大大可以補充一下下?

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
: d8 u1 B% y9 i$ t* ~$ m# H8 roxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
2 g- d& N/ w9 d* c, Z5 QBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
6 O! q9 o) c& A使用這種元件並不需要多加光罩,
( k: a* @) h0 V, ]8 G  n建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件