用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
1 `7 G0 |" B& b; R: \+ R請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
; J, x& {( v# Q! z2 u- [因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
4 `8 y6 K8 x3 E4 a  `
+ [9 G+ u. o: p: ^" w0 o. G( `7 }感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
0 Q) {/ `7 K5 t/ O  `) yoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
1 a- @' j! y0 W: Q4 f可用軟體模擬出C-V曲線,
8 L( p; O; B# R; m  s! Y6 _; _$ @3 pBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
3 L+ w7 R% V: R6 s/ Espice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
5 v- k% o1 ~* l1 ]( J: D8 ~1 k建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
/ @2 n- K( [) Y& G9 d
, k/ C8 c3 b: A' T哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
1 O' P9 u. D. ^' k.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
% H+ U' A/ K* O: Q; V2 P) `/ s.....
4 n( e2 M+ K6 Z4 v& u5 E5 n/ Y( A.......
% G, P0 c1 T- B5 a) z.end
. U* Q$ d: U" Q8 g然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
6 G& h$ e$ P  c* h如有錯誤，請大大們指教~~~

' j( K6 Z' U0 ~對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
, t1 A: \# ^2 t9 ~8 p我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
/ z! n6 _) z4 J& }( j而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
  W9 X3 l/ c( |6 |/ D
6 I. d" R* g2 t/ N8 o( M比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值