用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
( F- z7 R8 O! o: e因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

0 i/ b6 ^- k, _: q# r感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
6 E# t1 t1 N% r) j  h" w4 c1 ^oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
- j; E9 F; o! x可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
) D& A- l% h" R2 ~& h1 M* L( |. \5 bspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
- y( P& ~4 A. R7 a% l* g; a  [使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
0 v' P; d% ?" z0 t. }* P
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
2 D/ w3 o; c7 _9 _, |: Y# n....
.....
.......
$ X$ w$ T; M$ b0 x8 M.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
! S; k1 c7 D' o$ j/ Q5 _' g0 M如有錯誤，請大大們指教~~~
9 i3 r, H& X3 X3 _7 C
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
& R. z. g+ ~; s$ f" ?% R; t5 }我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值