用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
) D' S  P4 J$ e- s/ I6 u7 }8 e7 j4 Q請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
$ p# i8 e- |9 \' [5 W因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

( c" L. C; j4 ?% j1 \3 a8 C) c感謝各位的幫忙.

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
7 w2 J1 ^( {* n. R# L.dc vin 0 5 0.1
0 A- C& O9 F# y: F4 e' Z3 W....
; @) R. q% Z2 o1 H5 r1 S.....
, L- b2 c. f5 j. D.......
0 A- Z* {; F% |5 T.end
$ r6 D2 f" x" s! w然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

7 }- q3 k: G1 u對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
# G7 j* x/ B5 g2 X3 V  w我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
: i. C/ l' K" V0 ~而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
9 q/ p/ Z1 l: W# H, L
0 a# S6 L/ Z- A) T哪位大大可以補充一下下?

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
2 G2 E( h$ c) j可用軟體模擬出C-V曲線,
  Q6 ]3 B7 _  c! h. XBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
! J6 M- [+ G2 i4 O) `& k也就是長在NWELL裡的NMOS,
0 B/ ]- t& a: R& Rspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
" i( i  I) U  |2 B; B使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件