請問latchup的正確講法

tommy01

latchup是因為靠近Rnwell電阻大,所以VB1<VE1=VDD所以第一及的BJT導通,所以產生射極電流,然後產生集極電流,集極電流流到Rsub(大電阻),所以端電壓升高也就是第二級的base端,所以第二級的bjt導通,所以產生第二級的Ic電流,所以IB1的電流變大,導致IE1也變大,如此一直循環導致電流越來越大,把晶片燒毀 不知道這樣說對不對,但書上說是VDD跟GND短路是捨麼意思?不是只是因為電流太大的緣故嗎?
1 N2 W  t6 R% j8 b" m# W: s' @% t請知道的大大回答我 謝謝

nyy34345

4 ]# k$ t# ?: K' R, C3 j& UThanks for your answer.
9 I+ [1 m6 E/ ^! {# w: SThanks for your answer.
/ {+ S. F2 r2 L0 A- ?" K2 DThanks for your answer.

szona44250

感謝大大講解
2 X/ E( I" d5 s$ @- Q; C非常謝謝

huangleelung

CMOS剖面圖畫出來，寄生BJT跟R標示出來，解釋一下寄生電路的動作原理

CrisWu0966

謝謝大大無私分享
' \$ n: p" t& k! |  {% [" t) s/ j0 Z: e受益良多感恩大德

woga668

謝謝大大無私分享
受益良多感恩大德

a5416148

謝謝講解
" i* L$ x! k# ]" v; d+ B早一點看到就不會懊惱就麼久了

Liwayi

蟹蟹大大分享
6 K2 ~: p" N$ S5 _; {2 R- c受益良多

arthur03226

原帖由 tommy01 於 2008-3-19 11:59 PM 發表
$ v, z- a. x/ u9 |# G3 Clatchup是因為靠近Rnwell電阻大,所以VB1

latch up一但發生，最後的結果不是gate被打穿就是juntion punch through或是metal燒毀。
" u" X4 {  D5 e- r, J+ j6 `除了最後一項原因，其他會導致vdd gnd short所以書上講的也沒錯。
# T3 E$ ?7 C& g( _只是他只講出結果而已。

betterliu

接樓上：
, v5 |) o5 O* p( U6 q( a其實我也一直在想，經常說的latch-up都是PMOS和NMOS之間的，但是好像聽説異電位的NWell之間 更容易 發生。
0 }0 c: Q- P+ T' Q6 D9 Q還有一個問題是，如果NMOS的一個端接的是VDD要注意什麽，是不是要注意ERC會引起擊穿還是什麽啊？

yhchang

我的理解是 如果 PMOS 與NMOS 距離夠遠  中間又有 Guard ring 圍住的話
# H9 {, W3 }9 a6 k5 [; W4 |8 ]& b8 b  `那麼substrate底下所構成的等效電路 就不是  SCR電路
" ~0 Q/ W8 S& m) X# V而是單獨的 PMOS  或 單獨的NMOS

ryan1

Thanks for your answer.
Thanks for your answer.
6 o/ D) ?% A' J0 w/ D3 r! q+ JThanks for your answer.

minxia.lee

这几天老听到说片子LATCH-UP了，但是我从书上看到的，这种现象只在PMOS NMOS之间容易发生，若单种MOS管在一个地方的话就不会发生，是吗？对于这个问题我一直不是很理解，请各位指教指教~

y2kperfect

SCR:矽控整流子
$ L3 \8 [4 f+ Q# Y# u其實就像BJT,只是它用來做開關而已
4 x, I$ w4 n0 I3 w+ T& O但其結構是為PNPN,啟動後就永久開啟,需OPEN才會停止
! I6 D) e* V# _$ j: ]7 a典型的SCR開啟時間是1us左右,關閉時間約5~30us

ryan1

請問一下什麼是SCR呢?
**因為要防latch up 就高壓與低壓隔開.ESD的PMOS 與NMOS隔開.

yhchang

我對這問題的理解如下:
7 T, |: B! M. D5 M
6 W. d% t# f& M# Y/ L9 B1.
, s( ^' j! T% ~CMOS製程  我們做出來的電路  如果正常工作  電流應該是會在 substrate 基底的表面流動.....
1 d" T1 Z, D7 _& @7 {* V比方一個  反相器  如果正常工作時  不是PMOS開 NMOS關   就是NMOS開  PMOS關
7 H" V$ J% R2 f8 l如果哪天   NMOS PMOS 都開,  那這個反相器 就無法正常工作了  (已經沒有反相的效果)
輸出  OUT  那一點  PMOS NMOS的電流在 Fighting.  此時  電流正是從 VDD流到 VSS去...

2.  我原本預期電流只會在基底的表面流動.
8 N$ [' W. _* s7 |& i3 Q     但只要LATCH-UP現象一發生  電流卻會在  基底  底下 由 VDD 流到 VSS.... (正常電流流動在1F, 此時LATCH-UP, 電流是在B2或B3跑)
& a( J. E& O2 g! U* ~/ l' I     (這是我不想要發生的效應,只要一發生所有邏輯電路都不能正常工作了...)
2 b7 S7 ]7 q3 ?$ d     其他就麻煩您自己看教科書   SCR電路  等效於  CMOS 剖面圖的 相關說明, Latch-up是個不可逆的效應  只要發生 Chip就會死得不明不白...
7 T4 C: ]$ i1 N% S9 m     教科書上通常會寫  降低Rwell電阻或是降低寄生BJT Beta去壓制 Latch-up效應,
     Layout上常見的作法就是每隔一段距離就要打 contact上去
* F* T) ^( f  u5 o! E      主旨就是在降低 Rwell電阻.
: L( l9 z* ^# V& K' e3 Z     不然就是要圍 Guard ring或 Double guard ring, 其中一個功用是 讓 SCR等效電路不要出現,自然就不會有 Latch-up的危險.

如果這些內容有什麼遺漏或有誤的地方,也歡迎大家多補充.

[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-3-20 08:37 AM 編輯 ]

y2kperfect

hi~
電流太大,形同短路
所以直接說VDD與GND SHORT