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[問題求助] 電路設計中有哪幾種電容?

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1#
發表於 2008-4-19 15:59:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位先進:
0 U/ |7 z9 V3 v, ~8 e8 W- D( y# r$ ~: c) R
在layout上常會畫到電容,有mos電容,MIM電容...
. ~1 l/ x% U9 r' H
! V5 Y2 z) Y/ {4 x% m2 t想請問還有哪些電容呢? 各種電容有哪些優缺點呢? ! o8 g, |. U' w' w0 Z
$ l- J2 q6 }, M0 p2 T
電路設計上是如何決定是要使用哪一種電容呢?
: M. C# \/ n3 n2 M) _$ a& c4 T1 Q2 c
   謝謝!
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2#
發表於 2008-4-19 16:25:28 | 只看該作者
還有POLY TO POLY電容..# P5 U0 v7 P9 F& c6 i! a) g
一般而言MIM與POLY TO POLY電容線性度較佳..
3#
發表於 2008-4-20 11:13:26 | 只看該作者
製程上的電容有三種,一種是MIM電容,另外一種則是PIP電容,亦即Poly to Poly層的電容,不過,這種製程要用到有二層Poly的製程,一般的邏輯製程不會有兩層Poly,所以,會是比較特別的
% x: B+ ~8 b+ A+ x7 L最後一種則是MOS電容
% w. }0 x+ e) |3 N如前面所提,MIM和PIP電容比較準且穩定(和MOS電容來比較),不過,缺點是製程上會有所限制, }' _8 e1 o" }" b
而MOS電容則沒有製程上的限制,不過,它的容值會隨著Gate電壓而有變化,所以,如果要有精確且穩定的電容值的話,那用MOS電容就很不明智; L9 y. {/ C" R* c( y

4 q" G3 N1 L) u/ E) @1 Z8 J一般來說,在ADC電路中會"儘量"少用MOS電容,除非真的萬不得以,又或者specification真的有很大的容許值,不然,絕大部份都是用MIM或者PIP電容,所以,作ADC電路絕大部份都是用類比製程而較少使用邏輯製程
' X/ q6 P$ N$ O4 y% ^9 q而像PLL,或者POR電路等,因為用到的電容較不嚴格,所以,用MOS電容大概就可以,不過,有些限制仍是需要在電路上克服或者應該要去避免的
4#
 樓主| 發表於 2008-4-20 22:12:02 | 只看該作者
感謝大大的回應,讓我更加了解電容的特性和應用,印象中還有話過一種是利用metal成去疊起來的電容,專有名詞忘了...
5#
發表於 2008-4-21 01:20:41 | 只看該作者
原帖由 tanbo 於 2008-4-20 10:12 PM 發表
; i; k1 i, M6 W5 e' L感謝大大的回應,讓我更加了解電容的特性和應用,印象中還有話過一種是利用metal成去疊起來的電容,專有名詞忘了...

3 m# I( T7 X, e# C* D+ p8 b2 m
. _) O! D6 H4 z/ V
* O( I% x3 N/ Y4 v9 u那就是MIM電容,meatal to metal層所組出來的電容,PIP電容則是poly to poly層所組出來的電容
6#
發表於 2008-4-21 17:49:33 | 只看該作者
原帖由 tanbo 於 2008-4-20 10:12 PM 發表 : \) M7 A2 ~/ I
感謝大大的回應,讓我更加了解電容的特性和應用,印象中還有話過一種是利用metal成去疊起來的電容,專有名詞忘了...
9 r1 r+ g2 B/ P0 Y- I* Z  R# L

) J  R- @! {9 [1 D' Y: k" k/ b) l1 z) t/ h
三明治電容嗎?
% z1 I3 V( H- W9 L0 R6 _) P5 k$ O1 W& _6 `0 D& }) r
那是種用 metal1-metal2 或是任兩層 metal 所夾起來的電容。
& t! I, z3 I/ E5 X% l& ?通常 digital 製程的 poly 只有1層,沒辦法用 PIP。 只能用三明治電容來實現囉!. B! d+ A. k6 b" k

1 O# ]% t/ y7 r4 K- [, H- F" P: e這篇也有提到,您參考看看。
( ?, b, q4 V: dhttp://www.chip123.com/phpBB/vie ... ;highlight=%B9q%AEe
7#
發表於 2008-4-21 18:39:47 | 只看該作者
我所知的是m1tom2~p1top2~p2tonod~p2topod~容值最小是m1tom2囉!滿花面積的!
8#
發表於 2008-4-23 15:35:39 | 只看該作者
還有MOM capacitor (或稱inter-digit capacitor), that uses metal layer's parallel & vertical coupling capacitance together.
0 \+ j  w* o3 J- T還有 junction capacitor, that uses diffusion layers to form the capacitor.
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