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[問題求助] 請問dc-dc converter 的PowerMOS的Rds ON電阻如何測?

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1#
發表於 2008-5-4 00:42:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問dc-dc converter 的Power MOS的Rds ON電阻要如何測才是正確的?
用Hspice在模擬時,謝謝!!
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2#
發表於 2008-5-5 09:05:54 | 只看該作者
電阻等于電壓除以電流,這樣就可以了呀
在實測時,可以外加一個current source, 測量其兩端的電壓,再求一個比值就OK了。
3#
發表於 2008-5-6 15:38:00 | 只看該作者
成品實測時,很難讓PowerMOS始終導通吧?
測這個是不是需要有電流探頭的示波器啊。
4#
發表於 2008-5-15 10:55:09 | 只看該作者
你的RDS-ON大小是0.5以上
還是0.5以下呢?
太小不好測,另外在CP和FT測試也不同
5#
發表於 2009-11-18 10:25:28 | 只看該作者
理論上是用電壓除以電流即可 (VCC-Vsw)/Iout=RDS_ON

不過這個論點是必須建立在duty fully turn-on的情況下,不然在量測上會有很大的誤差
6#
發表於 2009-12-27 14:57:45 | 只看該作者
这个要进test mode来测试的,还要kelvin connection。
7#
發表於 2010-4-27 20:51:12 | 只看該作者
量測Ron的方式有很多
但由於DC/DC處在長期的switching mode
high/low side MOS持續交叉導通
因此除非進入test mode讓某一MOS持續導通才有辦法用歐姆定律去量測
再者當量測條件為較大電流時, 又必須考慮到熱的問題
因此pulse current的測試方式較長被採用的

而當switching時, 其實也可以利用switching的波形去量測到Ron
只是必須藉由不同負載條件去內差
8#
發表於 2010-5-23 16:57:48 | 只看該作者
让占空比处于接近100%可以测吧
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