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[問題求助] ㄧ個Comparator讓它的對稱性更好, VIH/VIL更小?

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1#
發表於 2008-5-13 22:58:37 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近在做 輸入介面   用的是 比較器的電路  也就是一個簡單的 Single-Stage的 OP來實現.& r* G" \1 }- G
但是下線之後  發現測出來的 Internal Signal rising/falling duty相當的不對稱% H: S  \5 h4 t6 Y* J- x8 Y$ P
而且 VIH/VIL 非常的不好   可是模擬的時候  Input 只要比 VREF 稍為高一點或低一點 不用50mv Output就會翻過去了+ D" m9 a- q$ z2 I  w. O
但是 Hardware測出來 卻需要 300-400mV 實在不是很懂為什麼模擬與實際情況會差那麼多?
6 l0 H3 G% l; x* Z9 w! L1 m7 X8 u
% v% ^  w8 G% h" \這是個 N-TYPE的OP   上面是電流鏡接VCC   下面直接接地.
: z5 B2 e  b9 j! a$ l% {$ Y/ Y: Y8 r1 ]% H8 |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-5-13 11:01 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2009-1-6 16:50:34 | 只看該作者
簡單的OP,gain一定不會太大0 O3 c# Z1 `* f; c
要3-400mV才比的出來
/ k% f0 G8 o8 g# p4 k輸入級的L,應該用的很小
7 M7 r; o+ F& c2 C3 P+ C導致下線後mismatch很敏感" j# L5 [4 i  `, z! `3 w
造成offset很大
3#
發表於 2009-1-7 17:32:27 | 只看該作者
L用的很小的話,輸入對関的mismatch豈不是更差?offset更大
% h/ V) f& d' ?3 X2 }2 n  Q樓主還是用於放大+鎖存之類的比較器提高以gain和速度) t. y& u8 R' c% _2 p7 r) i+ p
同時layout match要做的比較好
4#
發表於 2010-11-24 17:27:46 | 只看該作者
請問有~comparator layout floor嗎~~3q
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